[实用新型]一种IGBT器件结构有效
| 申请号： | 201020606528.0 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN202003998U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 沈华 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种IGBT器件结构,它包括在硅基板上有N型高电阻率区熔型或外延型硅衬底，在该硅衬底的器件有源区域引入比衬底浓度高的中等浓度N型掺杂区、即N型深阱；在上述N型掺杂区间隔引入P型高掺杂埋层区域、即P型深阱；在所述硅基板上生长一定厚度的高电阻率N型外延硅层；在所述器件有源区刻蚀有深沟槽阵列作为MOS结构的栅区，沟槽位于N型深阱区域中央；在所述沟槽壁上生长有高质量的二氧化硅作为MOS栅，并在沟槽中淀积N型导电多晶硅作为填充和栅控制极；在所述接近沟槽底部深度处通过对沟槽间的硅外延层进行P型掺杂并将杂质扩散以形成有P型MOS阱区；在临近沟槽的P型MOS阱区上方形成有N型高掺杂源区，相邻N+源区间则形成与P型MOS阱区同型号的P+高浓度掺杂区，两个高掺杂区共同作为IGBT的发射区接触；在发射区和多晶硅栅区域刻蚀出接触孔，并淀积金属，使金属和硅及多晶硅高掺杂区之间形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件结构, 其特征在于它包括在硅基板上有N型高电阻率区熔型或外延型硅衬底，在该硅衬底的器件有源区域引入比衬底浓度高的中等浓度N型掺杂区、即N型深阱；在上述N型掺杂区间隔引入P型高掺杂埋层区域、即P型深阱；在所述硅基板上生长一定厚度的高电阻率N型外延硅层；在所述器件有源区刻蚀有深沟槽阵列作为MOS结构的栅区，沟槽位于N型深阱区域中央；在所述沟槽壁上生长有高质量的二氧化硅作为MOS栅，并在沟槽中淀积N型导电多晶硅作为填充和栅控制极；在所述接近沟槽底部深度处通过对沟槽间的硅外延层进行P型掺杂并将杂质扩散以形成有P型MOS阱区；在临近沟槽的P型MOS阱区上方形成有N型高掺杂源区，相邻N+源区间则形成与P型MOS阱区同型号的P+高浓度掺杂区，两个高掺杂区共同作为IGBT的发射区接触；在发射区和多晶硅栅区域刻蚀出接触孔，并淀积金属，使金属和硅及多晶硅高掺杂区之间形成欧姆接触。
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