[实用新型]一种单深结密栅线结构太阳电池无效
| 申请号： | 201020512914.3 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN201796899U | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 闻震利;窦永铭;张辉 | 申请（专利权）人： | 厦门索纳新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单深结密栅线结构太阳电池，该太阳电池由银栅线电极、减反射膜、N型重掺杂深发射极N++、P型晶体硅和铝背场构成；铝背场设在P型晶体硅的背面；多个银栅线电极均匀分布在P型晶体硅的正面，且相邻的银栅线电极之间的间距为0.1～1mm；在对应于银栅线电极下方的P型晶体硅中设有以液态源磷扩散方式制成的N型重掺杂深发射极N++，该N型重掺杂深发射极N++的结深为0.5～2μm；减反射膜覆盖在除银栅线电极之外的P型晶体硅的正面中。本实用新型是将N型低掺杂浅发射极N+去除，并通过调整N型重掺杂深发射极N++的结深尺寸和银电极栅线间的距离尺寸，形成了单深结密栅线结构，不但减少了工艺、制造流程，降低了生产成本，而且还提高了太阳电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单深结密栅线 结构 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种单深结密栅线结构太阳电池，其特征在于：由银栅线电极、减反射膜、N型重掺杂深发射极N++、P型晶体硅和铝背场构成；铝背场设在P型晶体硅的背面；多个银栅线电极均匀分布在P型晶体硅的正面，且相邻的银栅线电极之间的间距为0.1～1mm；在对应于银栅线电极下方的P型晶体硅中设有以液态源磷扩散方式制成的N型重掺杂深发射极N++，该N型重掺杂深发射极N++的结深为0.5～2μm；减反射膜覆盖在除银栅线电极之外的P型晶体硅的正面中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
