[实用新型]一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件无效
| 申请号： | 201020508069.2 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN201918390U | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;钱钦松;孙俊;苏展;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄雪兰 |
| 地址： | 214135 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电流密度 绝缘体 横向 器件 | ||
【主权项】：
一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底(9)，在半导体衬底(9)上面设置有埋氧化层(8)，在埋氧化层(8)上设有N外延层(6)，在N外延层和上面设有P型漂移区(7)与N型阱区(15)，在N型阱区(15)表面设有P型源区(12)和N型接触区(11)，在P型漂移区(7)上设有P型缓冲区(14)，在所述的P型缓冲区上方设置N型漏区(10)，在N外延层(6)的表面还设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自N外延层(6)延伸至P型漂移区(7)，在N外延层(6)表面的P型源区(12)、N型接触区(11)，P型漂移区(7)表面除N型漏区(10)以外的区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、N型接触区(11)、P型源区(12)、多晶硅栅(4)及N型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在P型源区(12)、N型接触区(11)、多晶硅栅(4)和N型漏区(10)上分别连接有金属层(2)，其特征在于所述的提高电流密度的高压P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区(14)为P型环形缓冲区且所述P型环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区(16)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020508069.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
