[实用新型]发光二极管保护改良结构有效
| 申请号： | 201020236498.9 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN201748360U | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡易祐;李溢华 | 申请（专利权）人： | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V23/04 | 分类号： | F21V23/04;F21V23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管保护改良结构，包括有：一发光二极管部以及一切换部。该切换部具有一开关体、一辅线路体以及一齐纳二极管，该切换部并联且该齐纳二极管以反方向电性连接该发光二极管部，该开关体可位于一第一位置使该齐纳二极管与该发光二极管部电性导通，以及该开关体可位于一第二位置使该辅线路体与该发光二极管部电性导通。由此，使该发光二极管保护结构有效防止发光二极管以及齐纳二极管免受破坏，进而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 保护 改良 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管保护改良结构，其特征在于，包括有：一发光二极管部；一切换部，其具有一开关体、一辅线路体以及一齐纳二极管，该切换部是并联且该齐纳二极管以反方向电性连接该发光二极管部，该开关体位于一第一位置使该齐纳二极管与该发光二极管部电性导通，以及该开关体位于一第二位置使该辅线路体与该发光二极管部电性导通。
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