[实用新型]发光二极管保护改良结构有效

专利信息
申请号: 201020236498.9 申请日: 2010-06-22
公开(公告)号: CN201748360U 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 蔡易祐;李溢华 申请(专利权)人: 东贝光电科技股份有限公司
主分类号: F21V23/04 分类号: F21V23/04;F21V23/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周长兴
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 保护 改良 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型是关于一种发光二极管保护结构,特别是指一种具有切换开关及齐纳二极管的发光二极管保护改良结构。

背景技术

自爱迪生发明电灯泡以来,照明对人类而言已成为生活中所不可或缺的必需品,日后随着荧光灯管的发明,人类更将照明的水平逐步往上提升。自1960年以来,发光二极管的发明更为人类照明史写下了新的一页,省电、寿命长、不易发热的优良特性带给照明界新的希望,但由于技术的瓶颈,直到1993年日亚开发出量产的蓝光发光二极管后,才凑足人类视觉上的三原色(红、绿、蓝),使得发光二极管的应用范围又更进一步扩展。

只是,在制造过程中或使用中,如同一般电子组件发光二极管也很容易遭到静电放电、突波或涌流等异于操作电源现象的破坏,尤其GaN系列的发光二极管产品,包括蓝光、绿光、白光及紫外光,因为GaN本身材料因素,对静电的抵抗力弱,很容易在使用过程中遭受静电破坏。因此如何避免发光二极管在制造过程中或使用中遭到静电放电破坏,是设计使用发光二极管上非常重要的考虑因素之一。

因此,已有许多厂商纷纷在设计发光二极管电路时,均会额外增加齐纳二极管(Zener diode),并且使发光二极管、齐纳二极管彼此以并联方式反向电性连接。在正常情况下,当有输入正向工作电压时,此输入电压仅会让发光二极管导通而发光,而不会通过齐纳二极管。但有静电放电、突波或涌流等异于操作电源现象时,将会带来异常大的输入电压,这电压将会使得齐纳二极管崩溃,进而使大部分的电流均由齐纳二极管通过,而不由发光二极管通过。

然而,由于齐纳二极管的工艺方面略为复杂,使得其成本不易降低,因此如何去防止发光二极管以及齐纳二极管免受破坏,进而降低成本,一直是业者所急迫有待寻求解决的方案以及改进之处。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极管保护改良结构,由一齐纳二极管前设置有一切换开关,保护成本较高的齐纳二极管以及发光二极管,达到降低使用发光二极管电路结构成本的功效。

为实现上述目的,本实用新型提供的发光二极管保护改良结构,其包括有:一发光二极管部以及一切换部。该切换部具有一开关体、一辅线路体以及一齐纳二极管,该切换部是并联且该齐纳二极管以反方向电性连接该发光二极管部,该开关体可位于一第一位置使该齐纳二极管与该发光二极管部电性导通,以及该开关体可位于一第二位置使该辅线路体与该发光二极管部电性导通。

本实用新型较佳实施例中,该发光二极管部具有至少一发光二极管以串联相互电性连接,当然亦可以是复数个发光二极管以并联相互电性连接。为因应不同发光二极管电路结构,该发光二极管部可具有复数个串联发光二极管组,该复数个串联发光二极管组以并联相互电性连接,且每一串联发光二极管组具有至少一发光二极管以串联相互电性连接。

附图说明

图1A为本实用新型发光二极管保护改良结构第一较佳实施例的开关体位于第一位置电路示意图。

图1B为本实用新型发光二极管保护改良结构第一较佳实施例的开关体位于第二位置电路示意图。

图2A为本实用新型发光二极管保护改良结构第二较佳实施例的开关体位于第一位置电路示意图。

图2B为本实用新型发光二极管保护改良结构第二较佳实施例的开关体位于第二位置电路示意图。

图3A为本实用新型发光二极管保护改良结构第三较佳实施例的开关体位于第一位置电路示意图。

图3B为本实用新型发光二极管保护改良结构第三较佳实施例的开关体位于第二位置电路示意图。

附图中主要组件符号说明:

1、1a、1b发光二极管部;10串联发光二极管组;11发光二极管;2切换部;21开关体;22齐纳二极管;23辅线路体;91第一位置;92第二位置。

具体实施方式

为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,附图仅提供参考与说明用,非用以限制本实用新型。

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