[实用新型]GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构无效
| 申请号： | 201020167239.5 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN201667343U | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;李洪斌;王建华;刘存志 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，自下而上依次为蓝宝石衬底、N型GaN、量子阱有源层和P型GaN层，在P型GaN层的表面分布有按周期间隔排列的圆柱状突起，周期排列的圆柱状突起上均匀镀上一层透明导电薄膜。也可以在所述P型GaN层的表面设有一层透明导电薄膜，在该透明导电薄膜层上分布有按周期间隔排列的圆柱状突起。本实用新型通过在P型GaN层的表面上设置周期排列的圆柱状突起使之呈现凹凸不平的粗化面，在凹凸不平的粗化面又设有一层透明导电薄膜，增强了粗化效果，不会在芯片粗化表面与环氧树脂间留有空气隙，提高了LED的出光效率。制作简单、成本低，提高了LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 管芯 透明 导电 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构，自下而上依次为蓝宝石衬底、N型GaN、量子阱有源层和P型GaN层，其特征是：在P型GaN层的表面分布有按周期间隔排列的圆柱状突起，周期排列的圆柱状突起上均匀镀有一层透明导电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子有限公司，未经山东华光光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020167239.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
