[实用新型]带二极管保护电路的MOS场效应晶体管无效
| 申请号： | 201020149708.0 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN201804874U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡家梁 | 申请（专利权）人： | 江西联创特种微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人： | 姚伯川 |
| 地址： | 330012 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种带二极管保护电路的MOS场效应晶体管，该场效应晶体管包括以P型单晶硅片作衬底；设于衬底上作源区的N型区和保护二极管的N区；设于硅片上用作MOS管的保护环和保护二极管的两个P型区；设在硅片上的MOS管的源漏N型区；设在MOS管的栅区形成一层作为绝缘栅介质的二氧化硅层。所述设于P型单晶片衬底上保护二极管的N区与设于硅片上用作保护二极管的两个P型区构成两个背靠背的二极管，连接在MOS场效应晶体管硅片的源、栅之间。本实用新型适用于MOS场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 保护 电路 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种带二极管保护电路的MOS场效应晶体管，其特征是，具备：以P型单晶硅片作衬底；设于衬底上用作源区的N型区和保护二极管的N区；设于硅片上用作MOS管的保护环和保护二极管的两个P型区；设在硅片上的MOS管的源漏N型区；设在MOS管的栅区形成一层作为绝缘栅介质的二氧化硅层。
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