[发明专利]用于制造传感器的方法无效
| 申请号： | 201010624375.7 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102157679A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | N·V·曼特拉瓦迪;S·K·加米奇 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;G01P15/12;G01L9/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中，所述方法将蚀刻的半导体衬底晶片(130)接合到包括绝缘体上双硅晶片的蚀刻的装置晶片(142)，从而创建悬挂结构，悬挂结构的挠曲由嵌入的压阻传感器元件(150)来感测。在一个实施例中，传感器测量加速度。在其它实施例中，传感器测量压力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造传感器的方法，包括下列步骤：在半导体衬底晶片(130)中形成衬底凹槽(132，134)；在半导体装置晶片(142)中形成装置凹槽(119)，其中所述装置晶片(142)包括第一装置层(144)、第二装置层(146)、第一氧化层(145)和第二氧化层(147)，其中所述第一氧化层(145)位于所述第一装置层(144)之下，所述第二装置层(146)位于所述第一氧化层(145)之下，并且所述第二氧化层(147)位于所述第二装置层(146)之下，以及其中所述装置凹槽(124)贯穿所述第一装置层(144)以暴露所述第一氧化层(145)；将所述第一装置层(144)固定到所述衬底晶片(130)，其中所述装置凹槽(119)在所述衬底凹槽(132，134)之上对齐；以及在所述第二装置层(146)中植入至少一个压阻传感器元件(150)，以便感测所述第二装置层(146)中的挠曲。
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