[发明专利]制备太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201010622348.6 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102403398A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 朴根周;金基洪 | 申请（专利权）人： | 森美材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制备太阳能电池的方法，该方法包括通过在太阳能电池晶片的整个表面上注入等离子体来进行绒面化；通过在已绒面化的太阳能电池晶片上将固体源扩散来形成发射极层；在太阳能电池晶片上形成钝化层，所述太阳能电池晶片上已经形成了发射极层；以及形成电极。避免在太阳能电池晶片上形成PSG(磷硅玻璃)层。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
用于制备太阳能电池的方法，其包括以下步骤：通过在太阳能电池晶片的整个表面上注入等离子体来进行绒面化；通过在所述已绒面化的太阳能电池晶片上将固体源扩散来形成发射极层；在所述太阳能电池晶片上形成钝化层，所述太阳能电池晶片上已经形成了所述发射极层；以及形成电极；其中避免在所述太阳能电池晶片上形成PSG(磷硅玻璃)层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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