[发明专利]一种肖特基整流器件及制造方法有效
| 申请号： | 201010622193.6 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102569422A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 严光能 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于整流器件领域，特别涉及一种沟槽肖特基整流器件，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层；沟槽至少一个侧壁向外倾斜，与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度；该肖特基整流器件有效地缓减了电势的过度集中，提高器件的反向击穿电压；另外本发明还公开了肖特基整流器件的一种制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 整流 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基整流器件，其特征在于，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层；沟槽至少一个侧壁向外倾斜，与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度。
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