[发明专利]光伏旁路肖特基二极管的制造工艺无效
申请号: | 201010612279.0 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102142371A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 李健 | 申请(专利权)人: | 常州星海电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/373;H01L31/048 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 何学成 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于二极管的生产工艺,特别涉及一种光伏旁路肖特基二极管的制造工艺。本发明改进浇铸模压过程中采用的黑胶的成分组,本发明对肖特基二极管的生产工艺进行改进,对引线的回火处理、增大直径以及对引线端部的镦粗处理,降低了引线中的应力,提高了引线的散热能力同时还提高了二极管的抗浪涌电流冲击的能力,采用高导热低应力的黑胶,提高了肖特基二极管的导热性能,降低了二极管的表面温度,使光伏肖特基二极管能够满足接线盒内使用的要求。 | ||
搜索关键词: | 旁路 肖特基 二极管 制造 工艺 | ||
【主权项】:
光伏旁路肖特基二极管的制造工艺,其工艺步骤如下:1)将引线放置在定位夹具上进行排向,2)对引线进行回火处理,3)将焊片、芯粒定位固定到夹具上并进行焊接,得到半成品的二极管,4)对半成品的二极管进行IPA浸泡,浸泡完成后并进行烘烤,5)采用高导热低应力黑胶进行浇铸模压,6)模压完成后进行稳定烘烤,7)烘烤完成后对引线进行电镀,8)电镀完成后二极管进过一贯机的检测并进行包装,其特征在于:所述的步骤5中的高导热低应力黑胶由环氧树脂、固化剂和铝粉构成,所述的环氧树脂、固化剂和铝粉进行混合的质量比为22~25%∶1.5~2.5%∶73~76%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造