[发明专利]尺寸减小的背面照射图像传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010609277.6 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102130142A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 申请(专利权)人: (株)赛丽康
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;王艳春
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器具有设置在该背面照射图像传感器中的像素区域的垂直上部的电容器,在该背面照射图像传感器中,光从用户的背面照射,从而减小了芯片尺寸,以及一种制造该背面照射图像传感器的方法。该芯片尺寸减小的背面照射图像传感器的电容器形成在像素区域的垂直上部,而不在像素区域外部,因此不再需要形成该电容器的像素区域的外部面积,从而减小了芯片尺寸。
搜索关键词: 尺寸 减小 背面 照射 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器,所述背面照射图像传感器接收从半导体基底背面照射的光,所述半导体基底中形成有像素区域和外围电路区域,所述像素区域包括:光电二极管,形成于所述半导体基底正面表面下方并被配置为接收从所述半导体基底背面照射的光并产生光电荷;转移晶体管,被配置为转移由所述光电二极管产生的光电荷;层间绝缘层,形成于所述半导体基底正面上方,所述半导体基底中形成有所述光电二极管;至少一个金属布线层,形成于所述层间绝缘层中并被配置为电连接所述光电二极管与所述外围电路区域;以及电容器区域,形成在所述至少一个金属布线层的最上面的金属布线层上方。
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