[发明专利]尺寸减小的背面照射图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201010609277.6 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102130142A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器具有设置在该背面照射图像传感器中的像素区域的垂直上部的电容器,在该背面照射图像传感器中,光从用户的背面照射,从而减小了芯片尺寸,以及一种制造该背面照射图像传感器的方法。该芯片尺寸减小的背面照射图像传感器的电容器形成在像素区域的垂直上部,而不在像素区域外部,因此不再需要形成该电容器的像素区域的外部面积,从而减小了芯片尺寸。 | ||
搜索关键词: | 尺寸 减小 背面 照射 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器,所述背面照射图像传感器接收从半导体基底背面照射的光,所述半导体基底中形成有像素区域和外围电路区域,所述像素区域包括:光电二极管,形成于所述半导体基底正面表面下方并被配置为接收从所述半导体基底背面照射的光并产生光电荷;转移晶体管,被配置为转移由所述光电二极管产生的光电荷;层间绝缘层,形成于所述半导体基底正面上方,所述半导体基底中形成有所述光电二极管;至少一个金属布线层,形成于所述层间绝缘层中并被配置为电连接所述光电二极管与所述外围电路区域;以及电容器区域,形成在所述至少一个金属布线层的最上面的金属布线层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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