[发明专利]异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统有效

专利信息
申请号: 201010605624.8 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102565651A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 黄景丰 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统,利用低频噪声测试方法,对其噪声功率谱中的产生-复合噪声特征进行分析,利用模型拟合的方法量化其BE结附近的陷阱中心;可对器件特性分析及工艺改善起指导作用。
搜索关键词: 异质结 双极晶体管 性能 测试 方法 系统
【主权项】:
1.一种异质结双极晶体管性能测试方法,其特征在于,包括如下步骤:对异质结双极晶体管器件的BE结进行低频噪声功率谱测试,筛选出具有产生-复合噪声特征的频谱;根据函数,对筛选出的产生-复合噪声特征频谱的噪声部分进行拟合,公式中为trap中心捕获-释放的时间,为trap中心的频率,JB为电流密度,a和k的取值范围为1.9~2.1,C为拟合常数;从频谱中找到拟合曲线上第一个的拐点的位置,其位置的横坐标值为的值,纵坐标值为的值,自变量取值为1,计算C的取值;根据C的取值,拟合其它的拐点,取得其它拐点的值,得到值的个数,根据值的个数对器件的性能做出评价,的数量越少,器件性能越好。
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