[发明专利]一种掺镓氧化锌透明导电膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201010603314.2 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102534498A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于发光材料领域，其公开了一种掺镓氧化锌透明导电膜的制备方法，包括步骤：制备Ga2O3:ZnO陶瓷靶材；对镀膜设备的腔体进行真空处理；调整磁控溅射镀膜工艺参数，进行镀膜处理。本发明制备掺镓氧化锌透明导电膜，所用的靶材是单一Ga成份的靶材，通过调整磁控溅射镀膜工艺参数，制备出不同Ga含量的薄膜；本发明的掺镓氧化锌透明导电膜电阻率随着Ga含量的增加，先降低后升高，在Ga含量为4.6wt％时达到最低6.6×10-4Ω·cm，且其可见光平均透过率大于85％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 透明 导电 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺镓氧化锌透明导电膜的制备方法，包括如下步骤：选用质量比为1∶99～5∶95的Ga2O3和ZnO为原材料，研磨成粉体后经高温烧结处理，制得Ga2O3:ZnO陶瓷靶材；将上述制得的Ga2O3:ZnO陶瓷靶材和衬底间隔相对地装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，所述真空腔体的真空度为1.0×10‑3Pa～1.0×10‑5Pa；并对所述衬底进行预热处理；调整磁控溅射镀膜工艺参数为：溅射功率为60～160W，工作压强0.2～2.0Pa，以及氩气工作气体的流量15～35sccm；然后进行镀膜处理，制得所述掺镓氧化锌透明导电膜。
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