[发明专利]通孔的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010597890.0 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102543836A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 肖中强;顾静;王萍;何万梅;华强;徐振宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实施例公开了一种通孔的刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底包括层间介质ILD层和位于ILD层上表面的包括通孔图案的掩膜层；在各向异性刻蚀腔体中，对所述基底进行各向异性刻蚀，所述各向异性刻蚀在所述通孔图案内纵向上去除掉预设厚度的ILD层材料，所述预设厚度小于所述ILD层的厚度；在各向异性刻蚀腔体中，调整刻蚀气体的组分和配比，对经过各向异性刻蚀的基底进行各向同性刻蚀，所述各向同性刻蚀在横向上去除掉预设尺寸的ILD层材料，以满足通孔形貌的要求。本发明实施例在异性刻蚀腔体内实现各向同性刻蚀，省去了在两个不同类型的腔体间传送的时间，减少了通孔刻蚀所需的时间，缩短了产品的生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括层间介质ILD层和位于ILD层上表面的包括通孔图案的掩膜层；在各向异性刻蚀腔体中，对所述基底进行各向异性刻蚀，所述各向异性刻蚀在所述通孔图案内纵向上去除掉预设厚度的ILD层材料，所述预设厚度小于所述ILD层的厚度；在各向异性刻蚀腔体中，调整刻蚀气体的组分和配比，对经过各向异性刻蚀的基底进行各向同性刻蚀，所述各向同性刻蚀在横向上去除掉预设尺寸的ILD层材料，以满足通孔形貌的要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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