[发明专利]生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统有效

专利信息
申请号: 201010593610.9 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102140678A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 维塞尔·雷万卡;桑吉夫·拉郝蒂 申请(专利权)人: 维塞尔·雷万卡;桑吉夫·拉郝蒂
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/06;C01B33/035
代理公司: 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 代理人: 甘玲
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统。本发明的方法包括提供硅棒生产装置,包括包含带夹套反应室的反应器容器,其中预加热流体在夹套中被循环,一个或更多个延伸到反应室的电极组件,每个电极组件包括气体进口、一个或更多个传热流体进口/出口和至少一对硅丝,连接到反应器容器内部的带硅气体的源,连接到反应室的传热系统以及电源;通过在传热系统中循环传热流体,预加热反应室到硅丝变得更导电的一温度;加热硅丝到硅沉积温度;将带硅气体切向地注入气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙;分解至少部分的带硅气体以形成硅;均匀地将硅沉积在硅丝上以生产多晶硅棒。通过该气体分配机制生产均匀的多晶硅棒。
搜索关键词: 生产 均匀 多晶 方法 装置 cvd 西门 子系统
【主权项】:
一种用于生产均匀的多晶硅棒的方法,所述方法包括以下步骤:提供硅棒生产装置,所述装置包括:反应器容器,所述反应器容器包含至少一个被夹套围绕的反应室,其中预加热流体在所述夹套中被循环;一个或更多个电极组件,所述电极组件延伸到所述反应室中,其中每个电极组件包括:气体分配室,所述气体分配室包括气体进口和沿气体分配柱的长度分布的一个或更多个气体出口;一个或更多个传热流体进口/出口;以及至少一对硅丝,所述丝在它们的上端以硅桥彼此相连,以形成丝/细棒组件,每个丝/细棒组件包在隔离夹套中;带硅气体的源,所述源连接到所述反应器容器的内部,用于将所述气体供应到所述反应室中,以产生反应并通过化学气相沉积将多晶硅沉积在所述丝上;传热系统,所述传热系统被连接到供应传热流体的带夹套的反应室,以预加热所述反应室;以及电源;通过在所述传热系统中循环传热流体,预加热所述反应室到一温度,在所述温度所述硅丝变得更导电;通过施加来自所述电源的电流,加热所述硅丝到硅沉积温度;将所述带硅气体切向地注入所述气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙;分解至少部分的所述带硅气体,以形成硅;以及均匀地将硅沉积在所述硅丝上,以生产多晶硅棒。
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