[发明专利]配置状态可定制的可编程逻辑电路

摘要

本发明公开了一种配置状态可定制的可编程逻辑电路，涉及逻辑电路技术，n个配置SRAM单元电路和m个双端口SRAM单元电路，将其并列设置固化成阵列；经掩膜定制单元通过定制有限层的金属掩膜层建立选择连接，实现配置SRAM和双端口SRAM的固化。本发明的可编程逻辑电路，开发周期短、成本低，且克服了普通FPGA在辐照条件下配置SRAM易翻转的问题。

主权项

一种配置状态可定制的可编程逻辑电路，包括n个配置SRAM单元电路、可编程资源、n个掩膜定制单元；其特征在于，每个配置SRAM单元电路包括开关、第一反向器、第二反向器、掩膜定制单元；配置SRAM单元电路的位线BL接到开关的一端，开关的另一端接第一反向器的输入端、第二反向器的输出端、掩膜定制单元输入端和节点CBT0，第一反向器的输出端接第二反向器的输入端；并经掩膜定制单元通过定制有限层的金属掩膜层建立选择连接；读/写使能端RW0与开关栅极电连接；节点CBT0与可编程资源电连接；n个配置SRAM单元电路并列设置固化成阵列，其n个读/写使能端RW0、RW1、……、RWn分别对应的接到n个SRAM单元电路的开关的控制端；其n个节点CBT0、CBT1、……、CBTn提供n个配置位分别接到可编程资源；当n个读/写使能端RW0、RW1、……、RWn分别有效时，位线BL分别通过n个开关对n对交叉耦合反向器对的n个节点CBT0、CBT1、……、CBTn进行存取，n个节点CBT0、CBT1、……、CBTn分别通过n个掩膜定制单元选择接电源或地，实现配置SRAM固定为‘1’或‘0’的配置状态。