[发明专利]一种MOS类功率器件的元胞结构无效
| 申请号： | 201010589626.2 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102487076A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 贾荣本;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 南毅宁;周建秋 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS类功率器件的元胞结构，在所述元胞结构的俯视平面上，沿曲条形布置两条栅极，两条栅极之间的距离是变化的，在所述栅极之间布置有阱，在所述阱中布置源区，两条栅极之间还布置有接触孔，所述接触孔同时与所述源区和所述阱区相接触。本发明针对现有MOS类功率器件的元胞结构不够紧凑的缺点，提出的MOS类功率器件的元胞结构，能够使元胞结构的排布紧凑，降低MOS类功率器件的正向导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种MOS类功率器件的元胞结构，在所述元胞结构的俯视平面上，沿曲条形布置两条栅极，两条栅极之间的距离是变化的，在所述栅极之间布置有阱，在所述阱中布置源区，两条栅极之间还布置有接触孔，所述接触孔同时与所述源区和所述阱区相接触。
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