[发明专利]一种大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法无效
| 申请号： | 201010589409.3 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102079523A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;刘付冠;尹长浩;温志辉 | 申请（专利权）人： | 东海晶澳太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300 江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法，选取冶金硅料，通过高温处理使金属杂质扩散到硅料颗粒表面或晶界处，并通过酸浸将其除去，达到去除金属杂质，制备高纯硅的目的。该方法无需将硅料深度粉碎，避免了硅料的二次污染及表面过度氧化，同时解决了扬尘无法用于后续工艺等问题，简化了工艺设备，降低了成本，增加环境友好性，便于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒 冶金 金属 杂质 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法，其特征是：选取冶金硅料，在反应气氛中通过高温处理使金属杂质扩散到硅料颗粒的表面或晶界处，然后再通过酸浸将扩散到硅料颗粒表面或晶界处的金属杂质除去即可。
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