[发明专利]生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 201010588952.1 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102082098A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐正勋;闫晓剑 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 柯海军;武森涛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产成本更低的生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法。本发明生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法包括如下步骤：a、沉积缓冲氧化层或缓冲氮化层；b、沉积非晶硅薄膜层；c、硅图案化；d、用等离子体增强化学气相沉积栅极绝缘层；e、溅射蒸镀栅极导电层，然后图案化；f、离子掺杂处理；g、蒸镀Ni金属层；h、加热，使非晶硅结晶化和活性化；i、沉积ILD及形成通孔图案；j、沉积源/漏金属层及形成数据线图案；k、钝化绝缘膜沉积及形成通孔图案；l、沉积ITO薄膜及形成OLED阳极图案；m、形成像素限定层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 低温 多晶 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：a、在玻璃基板或石英基板上用等离子体增强化学气相沉积![]()
的缓冲氧化层；b、用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积![]()
的非晶硅薄膜层；c、硅图案化；d、用等离子体增强化学气相沉积![]()
的栅极绝缘层；e、溅射蒸镀![]()
的栅极导电层，然后图案化；f、离子掺杂处理；g、蒸镀![]()
的Ni金属层；h、加热，于500～700℃下使非晶硅结晶化和活性化；i、沉积ILD及形成通孔图案；j、沉积源/漏金属层及形成数据线图案；k、钝化绝缘膜沉积及形成通孔图案；l、沉积ITO薄膜及形成OLED阳极图案；m、形成像素限定层图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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