[发明专利]有源区键合兼容高电流的结构

摘要

一种有源区键合兼容高电流的结构。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。一层或多层中间导电层形成于顶部导电层和衬底之间。绝缘材料层分离导电层。而且，绝缘层中的一层相对较硬且位于顶部导电层与最接近顶部导电层的中间导电层之间。器件形成在集成电路中。另外，至少最接近于顶部导电层的中间导电层适合于键合焊盘下的选择器件的实用互连。

主权项

一种形成半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：在衬底中形成至少一个有源器件；在顶部金属层和所述衬底之间形成一个或更多个中间金属层；形成一个或更多个绝缘层，所述一个或更多个绝缘层将所述一个或更多个中间金属层与所述顶部金属层分开；形成在所述顶部金属层之上的钝化层；对所述钝化层构图以形成在所述顶部金属层上的键合焊盘，其中所述至少一个有源器件直接位于所述键合焊盘下方；以及其中，所述绝缘层中的位于所述顶部金属层和与所述顶部金属层最接近的中间金属层之间的一个绝缘层具有被选择为防止由所述半导体结构上的垂直应力和水平应力造成的裂缝的厚度。