[发明专利]一种大孔SiC陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010580712.7 申请日: 2010-12-09
公开(公告)号: CN102010226A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 王伟;茹红强;岳新艳 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C04B38/08 分类号: C04B38/08;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人: 李在川
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及陶瓷材料技术领域,具体涉及一种大孔SiC陶瓷的制备方法。首先将SiC粉末与烧结助剂碳化硼粉末,按重量百分比98.92%:1.08%配制并混合均匀,然后将混合后的粉料与表面活性剂,粘结剂再混合均匀,形成浆料;将浆料加入到聚丙烯罐中,并按球料比1.5:1加入刚玉小球后密封聚丙烯罐,缓慢混料至均匀;然后手动振荡或机械搅拌,引入气泡;引入气泡的浆料转移到-17℃的容器中,冷冻4~12个小时后,在室温或冷冻条件下,萃取浆料中的水,再经过干燥;最后在氩气气氛中,温度为1950~2100℃范围内,保温0.5~2小时完成烧结。本发明实现对碳化硅的孔径、孔型控制的同时,降低生产成本,简化生产工艺。
搜索关键词: 一种 sic 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种大孔SiC陶瓷的制备方法,其特征在于按以下步骤进行:首先将SiC粉末与烧结助剂碳化硼粉末,按重量百分比98.92%:1.08%配制并混合均匀,然后将混合后的粉料与表面活性剂,粘结剂按重量比为800~1000:0~5:4400再混合均匀,形成浆料;将浆料加入到聚丙烯罐中,并按球料比1.5:1加入刚玉小球后密封聚丙烯罐,缓慢混料至均匀;然后手动振荡或机械搅拌,引入气泡;引入气泡的浆料转移到‑17℃的容器中,冷冻4~12个小时后,在室温或冷冻条件下,萃取浆料中的水,再经过干燥;最后在氩气气氛中,温度为1950~2100℃范围内,保温0.5~2小时完成烧结。
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