[发明专利]一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC VCO无效
| 申请号： | 201010579378.3 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102088289A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邵志标;胡志刚;姚剑峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099;H03B5/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC VCO(基于电感-电容谐振的压控振荡器)，其尾电流源由工作在线性区的P-MOSFET管M6和工作在饱和区的P-MOSFET管M8串联而成，P-MOSFET管M6与P-MOSFET管M8的栅极接在一起，电流镜由另两个P-MOSFET管M5、M7对P-MOSFET管M6、P-MOSFET管M8构成，电流通过电流镜偏置到VCO中。由于线性区工作的P-MOSFET管M6的漏源电压很小，从而，M6管的引入对VCO输出信号的最大摆幅影响较小。此外，M6管的引入使M8管的漏端(即A点)看进去的等效电阻变大，从而谐振腔的损耗减小，使该LC VCO可以实现更低的相位噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 改进 电流 结构 相位 噪声 lc vco | ||
【主权项】：
一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声LC VCO，其特征在于：该尾电流源结构的低相位噪声LC VCO的尾电流源由工作在线性区的P‑MOSFET管M6和工作在饱和区的P‑MOSFET管M8串联而成，P‑MOSFET管M6与P‑MOSFET管M8的栅极接在一起的，电流镜由另外两个P‑MOSFET管M5、M7对P‑MOSFET管M6、P‑MOSFET管M8构成，电流通过电流镜偏置到VCO中。
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