[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010577185.4 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486992A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王祝山;黄国华 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李翔;桑传标 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：a)制备具有晶圆正面和晶圆背面的晶圆，并在所述晶圆背面上进行形成背面电极结构部分的工序中的至少一部分工序；b)将支撑衬底层叠在所述晶圆背面上；c)在所述晶圆正面上对所述晶圆进行减薄处理，在减薄处理后的晶圆正面上进行形成所述半导体器件的正面主体结构部分和正面电极结构部分的工艺处理；d)将所述支撑衬底从所述晶圆背面上去除。由于在对晶圆进行减薄处理之前就在晶圆背面上进行形成背面电极结构部分的工序中的至少一部分工序，而且，在进行减薄之前还在晶圆上层叠支撑衬底，因此几乎所有的工序都是在厚度较厚的情况下进行的，从而在极大程度上能够降低晶圆在工艺处理过程中出现破碎的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：a)制备具有晶圆正面(101)和晶圆背面(102)的晶圆(100)，并在所述晶圆背面(102)上进行形成背面电极结构部分的工序中的至少一部分工序；b)将支撑衬底(103)层叠在所述晶圆背面(102)上；c)在所述晶圆正面(101)上对所述晶圆(100)进行减薄处理，在减薄处理后的晶圆正面(101)上进行形成所述半导体器件的正面主体结构部分和正面电极结构部分的工艺处理；d)将所述支撑衬底(103)从所述晶圆背面(102)上去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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