[发明专利]金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机有效
| 申请号： | 201010575610.6 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102142384A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王静文;贺成明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;G01B11/28;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机。金属蚀刻终点侦测方法包含：对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，透光面积占扫描区域的比例；判断透光面积占扫描区域的比例是否达到预定比例；当达到预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。金属蚀刻终点侦测机具有获取模块、判断模块及确定模块。获取模块用于对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，透光面积占扫描区域的比例。判断模块用于判断透光面积占扫描区域的比例是否达到预定比例。确定模块用于在判断模块判定透光面积占扫描区域的比例达到预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。本发明能精确判定金属膜的蚀刻终点时间。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 蚀刻 终点 侦测 方法 | ||
【主权项】：
一种金属蚀刻终点侦测方法，应用于一金属蚀刻终点侦测机，其特征在于：包含：对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例；判断所述金属膜的透光面积占所述扫描区域的比例是否达到一预定比例；当达到所述预定比例时，确定当前对所述金属膜已蚀刻的时间为所述金属膜的蚀刻终点时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
