[发明专利]铜互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010573225.8 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102487038A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种铜互连结构及其形成方法，所述铜互连结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上覆盖有第一介质层，所述第一介质层上形成有第一开口；在所述第一开口中填充金属铜，形成铜栓塞，所述铜栓塞的表面与所述第一介质层的表面齐平；对所述第一介质层进行刻蚀，去除与所述铜栓塞的侧壁相接的部分第一介质层，在所述铜栓塞和第一介质层之间形成空隙；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和铜栓塞的表面并密封所述空隙；在所述铜栓塞上方的第二介质层上形成第二开口，所述第二开口的宽度小于等于所述铜栓塞的宽度，所述开口的底部暴露出所述铜栓塞；在所述第二开口中填充钴钨磷。本发明有利于避免金属离子扩散进入介质层，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上覆盖有第一介质层，所述第一介质层上形成有第一开口；在所述第一开口中填充金属铜，形成铜栓塞，所述铜栓塞的表面与所述第一介质层的表面齐平；对所述第一介质层进行刻蚀，去除与所述铜栓塞的侧壁相接的部分第一介质层，在所述铜栓塞和第一介质层之间形成空隙；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和铜栓塞的表面并密封所述空隙；在所述铜栓塞上方的第二介质层上形成第二开口，所述第二开口的宽度小于等于所述铜栓塞的宽度，所述开口的底部暴露出所述铜栓塞；在所述第二开口中填充钴钨磷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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