[发明专利]SOA驱动电路开关速度提高到纳米级的方法无效
| 申请号： | 201010571761.4 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102064806A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 曾亚南 | 申请（专利权）人： | 曾亚南 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04 |
| 代理公司： | 沈阳圣群专利事务所 21221 | 代理人： | 王宪忠 |
| 地址： | 110125 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOA驱动电路开关速度提高到纳秒级的方法，其主要特征是，半导体光放大器是一个半导体二极管，同时具有阻性和导性，半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路。将半导体光放大器接到驱动电路中，采用负电源供电的方法，电路由二极管等效电路，电容C，开关K，和恒流源等组成，R2为外接电阻，L是由于布线而引起的等效电感，开关K由外部信号控制，通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。其优点是，通过调整R,C的值，可以有效地将驱动电路的开关速度提高到纳秒级。 | ||
| 搜索关键词： | soa 驱动 电路 开关 速度 提高 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种SOA驱动电路开关速度提高到纳秒级的方法，包括半导体二极管，其特征是，半导体光放大器是一个半导体二极管，同时具有阻性和导性，半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路，将半导体光放大器接到驱动电路中，采用负电源供电的方法，电路由二极管等效电路，电容C，开关K，和恒流源等组成，R2为外接电阻，L是由于布线而引起的等效电感，开关K由外部信号控制，通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。
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