[发明专利]一种利用磁控溅射技术制备的抗菌聚碳酸酯薄膜无效

专利信息
申请号: 201010569578.0 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102011095A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 罗伟;任月璋 申请(专利权)人: 苏州奥美材料科技有限公司
主分类号: C23C14/20 分类号: C23C14/20;C23C14/35
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 赵枫
地址: 215011 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种利用磁控溅射技术制备的抗菌聚碳酸酯薄膜:在室温条件下,以纯度为99.99%的银为靶材,将0.5mm厚度的聚碳酸酯薄膜基材固定于样品架上,采用基材在上、靶材在下的结构,再利用磁控溅射技术由下向上的溅射方式制备纳米银薄膜层,溅射过程中,采用纯度为99.99%氩气为工作气体,靶材与基材的距离为185mm,本底真空度为5×10-4Pa,薄膜厚度通过膜厚度仪来测量控制,在制作过程中,样品架以85r/min的转速旋转。本发明利用磁控溅射技术,在聚碳酸酯片材表面沉积纳米结构银薄膜,实现聚碳酸酯片材的抗菌功能化。
搜索关键词: 一种 利用 磁控溅射 技术 制备 抗菌 聚碳酸酯 薄膜
【主权项】:
一种利用磁控溅射技术制备的抗菌聚碳酸酯薄膜,其特征是:在室温条件下,以纯度为99.99%的银为靶材,将0.5mm厚度的聚碳酸酯薄膜基材固定于样品架上,采用基材在上、靶材在下的结构,再利用磁控溅射技术由下向上的溅射方式制备纳米银薄膜层,溅射过程中,采用纯度为99.99%氩气为工作气体,靶材与基材的距离为185mm,本底真空度为5×10‑4Pa,薄膜厚度通过膜厚度仪来测量控制。
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