[发明专利]一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法无效
| 申请号： | 201010569384.0 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102082204A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 韩帅君;李向前;张明坤;张永伟;景彦娇;张玉磊 | 申请（专利权）人： | 上海超日（洛阳）太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 洛阳市凯旋专利事务所 41112 | 代理人： | 陆君 |
| 地址： | 471900*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种涉及太阳能电池硅片加工领域的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法；所述的方法在不增加设备投资的情况下，通过工艺上的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，保证了硅片表面在经过脱水、烘干以及后道PECVD工序后，水渍比例由原来的0.9%降低到0%，保证了生产线的正常连续生产，同时有效的提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 槽式去 psg 设备 产生 水渍 方法 | ||
【主权项】：
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是：所述的方法采用如下步骤：A、将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒； B、将装有硅片的承载盒放入D‑1清洗液中清洗去除硅片表面的PSG； C、将硅片放入18MΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D‑1清洗液； D、将硅片放入无水乙醇中脱水3‑5分钟； E、将脱水后的硅片放入烘箱烘干；F、去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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