[发明专利]一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201010568376.4 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479694A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属栅极及MOS晶体管形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与多晶硅栅极及侧墙顶部齐平；去除多晶硅栅极至露出牺牲氧化层，形成沟槽；去除预定厚度的侧墙中氮化硅层，所述预定厚度与牺牲氧化层的厚度一致；去除沟槽内的牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层的表面与氮化硅层顶部齐平；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。本发明的形成方法，可以防止金属层研磨时发生金属残留导致金属短路的问题，提高半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极及MOS晶体管形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙，所述侧墙包含依次位于多晶硅栅极两侧的氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与多晶硅栅极及侧墙顶部齐平；去除多晶硅栅极至露出牺牲氧化层，形成沟槽；去除预定厚度的侧墙中氮化硅层，所述预定厚度与牺牲氧化层的厚度一致；去除沟槽内的牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层的表面与氮化硅层顶部齐平；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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