[发明专利]多孔硅材料的制备方法及由该方法制得的多孔硅材料无效
| 申请号： | 201010568125.6 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102485945A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;林顺茂 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C25F3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多孔硅材料的制备方法，其包括如下步骤：提供一基材；在该基材的表面形成一预制层，该预制层中含有硅和金属M，所述金属M为钙、铝及镁中的一种或以上，该金属M的质量百分含量为10～50％；采用电化学蚀刻法去除所述预制层表层的金属M，使预制层的表层部分形成一多孔硅层，该电化学蚀刻法中所使用的电解液为盐酸、硫酸、甲酸、乙酸和草酸中的一种。所述多孔硅材料的制备方法绿色环保。本发明还提供一种上述方法制得的多孔硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 材料 制备 方法 法制 | ||
【主权项】：
一种多孔硅材料的制备方法，其包括如下步骤：提供一基材；采用PVD镀膜技术在该基材的表面形成一预制层，该预制层中含有硅和金属M，所述金属M为钙、铝及镁中的一种或以上，该金属M的质量百分含量为10～50％；采用电化学蚀刻法去除所述预制层表层的金属M，使预制层的表层部分形成一多孔硅层，该电化学蚀刻法中所使用的电解液为盐酸、硫酸、甲酸、乙酸和草酸中的一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010568125.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可定量倒出液体的容器
- 下一篇：脉冲袋式除尘器的破袋封堵装置
- 同类专利
- 专利分类
