[发明专利]晶圆表面光阻去边的方法有效
| 申请号： | 201010566050.8 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102479688A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇;郝静安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体制造技术领域的晶圆表面光阻去边的方法，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度。本发明通过调小WEE方法中的孔径值，使得Rainbow缺陷区域从200μm降至50μm，从而使得Rainbow缺陷对于半导体器件的性能没有影响，且方法简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 表面光 阻去边 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度，第一固定宽度大于第一宽度，第二固定宽度大于第二宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于第二宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
