[发明专利]一种高密度SIM卡封装件及其生产方法有效

专利信息
申请号: 201010564456.2 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN102004940A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 谢建友;郭小伟;何文海;慕蔚;陈欣 申请(专利权)人: 天水华天科技股份有限公司
主分类号: G06K19/08 分类号: G06K19/08
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 鲜林
地址: 741000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种高密度SIM卡封装件及其生产方法,包括基板、IC芯片、键合线和塑封体,基板为采用回蚀工艺制成的2层、4层、6层或者8层高密度互联封装有机层压基板,有机层压基板上还设置有无源器件和晶振,IC芯片为并排设置的两块,或者其中一块IC芯片上堆叠有第三块IC芯片,该第三块IC芯片通过键合线分别与有机层压基板和其下面的IC芯片相连。在有机层压基板粘贴IC芯片、无源器件和晶振,用键合线将IC芯片与有机层压基板相连,控制线弧高度和弧形,采用多段注塑模型软件控制注塑过程,打印切割,制成SIM卡封装件。本发明封装件尺寸12mm×18mm×0.63mm,塑封了多种类型器件,满足更多功能的使用要求。
搜索关键词: 一种 高密度 sim 封装 及其 生产 方法
【主权项】:
一种高密度SIM卡封装件,包括基板、IC芯片、键合线和塑封体,其特征在于,所述基板为采用回蚀工艺制成的2层、4层、6层或者8层高密度互联封装有机层压基板(1),有机层压基板(1)上还设置有无源器件和晶振(11),所述IC芯片为并排设置的两块,或者IC芯片为并排设置的两块,且其中一块IC芯片上堆叠有第三块IC芯片,该第三块IC芯片通过键合线与有机层压基板(1)相连,该第三块IC芯片还通过键合线与第三块IC芯片下面的IC芯片相连。
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