[发明专利]低压双向保护二级管有效
| 申请号： | 201010561335.2 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102130183A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·莫里永 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种垂直双向保护二极管，包括，在第一导电类型的重掺杂衬底上的第一、第二和第一导电类型的第一、第二和第三区域，这些区域的掺杂级都大于2到5x1019atoms/cm3，并且被绝缘沟道横向分隔，这些区域中的每一个区域的厚度都小于4μm。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 双向 保护 二级 | ||
【主权项】：
一种垂直双向保护二极管，其包括，在第一导电类型的重掺杂衬底(1)上的第一、第二和第一导电类型的第一(3)、第二(4)和第三(5)区域，这些区域的掺杂级都大于2到5x1019atoms/cm3，并且被绝缘沟道(7)横向分隔，这些区域中的每一个区域的厚度都小于4μm。
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