[发明专利]一种提高发光器件出光效率的多层导电透明膜及其方法无效

专利信息
申请号: 201010559443.6 申请日: 2010-11-23
公开(公告)号: CN102479905A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 孙智江;刘经国 申请(专利权)人: 孙智江
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 朱丽华
地址: 江苏省苏州市东*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种提高发光器件出光效率的多层导电透明膜及其方法,是在P型GaN表面外延片上依次由里至外生长一高折射系数的透明电极层和一ITO透明电极层;所述透明电极层的折射系数n>2.0,采用化学气相沉积或物理气相沉积生长该透明电极层,将各单体电极制成微球或锥形状,将所有高折射系数透明电极用掩膜版光刻-刻蚀法、选择生长法、溶胶-凝胶法或自主装法形成周期排列的阵列。在不降低光电器件的电学性能下,提高了光电器件的出光效率。
搜索关键词: 一种 提高 发光 器件 效率 多层 导电 透明 及其 方法
【主权项】:
一种提高发光器件出光效率的方法,其特征在于:在P型GaN表面外延片上依次由里至外生长一高折射系数的透明电极层和一ITO透明电极层,所述透明电极层的折射系数n>2.0。
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