[发明专利]一种提高发光器件出光效率的多层导电透明膜及其方法无效
申请号: | 201010559443.6 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102479905A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 孙智江;刘经国 | 申请(专利权)人: | 孙智江 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;H01L33/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 朱丽华 |
地址: | 江苏省苏州市东*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 发光 器件 效率 多层 导电 透明 及其 方法 | ||
1.一种提高发光器件出光效率的方法,其特征在于:在P型GaN表面外延片上依次由里至外生长一高折射系数的透明电极层和一ITO透明电极层,所述透明电极层的折射系数n>2.0。
2.根据权利要求1所述的提高发光器件出光效率的方法,其特征在于:采用化学气相沉积或物理气相沉积生长高折射系数的高折射系数的透明电极层。
3.根据权利要求1所述的提高发光器件出光效率的方法,其特征在于:将所述的高折射系数的透明电极制成微球或锥形状,将所有高折射系数透明电极以阵列周期排列。
4.根据权利要求3所述的提高发光器件出光效率的方法,其特征在于:形成高折射系数的透明电极以周期排列的阵列的方法采用掩膜版光刻-刻蚀法、选择生长法、溶胶-凝胶法或自主装法。
5.根据权利要求4所述的提高发光器件出光效率的方法,其特征在于:使用掩膜版光刻-刻蚀形成高折射系数透明电极的阵列的刻蚀工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀。
6.一种用于提高发光器件出光效率的多层导电透明膜,其特征在于:其包括一在P型GaN表面外延片上生长的高折射系数透明电极层,再在该高折射系数透明电极层的外表面覆盖ITO透明电极层,所述透明电极层的折射系数n>2.0。
7.根据权利要求6所述的多层导电透明膜,其特征在于:所述高折射系数的透明电极单体为微球或锥形状,所有高折射系数透明电极以阵列周期排列。
8.根据权利要求6所述的多层导电透明膜,其特征在于:所述高折射系数的透明电极层为P型ZnO电极层薄膜,该P型ZnO电极层薄膜的厚度为100-200nm。
9.根据权利要求6所述的多层导电透明膜,其特征在于:所述的ITO透明电极厚度为200~400nm。
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