[发明专利]一种GaAs基LED芯片的激光切割方法

摘要

本发明提供了一种GaAs基LED芯片的激光切割方法，该方法是在GaAs芯片N面用激光切割形成激光划痕，然后在GaAs芯片P面用裂片机沿激光划痕将芯片裂开，形成激光划痕的深度为芯片厚度的1/10-4/5。本发明结合激光切割的方法，改变切割方式，采取背划进行激光切割GaAs基LED芯片，最大限度的保留了芯片原材料区域，使发光面积的破坏降至最低，对芯片的产能和芯片亮度都有一个很大的提升。

主权项

一种GaAs基LED芯片的激光切割方法，其特征是：在GaAs芯片N面用激光切割形成激光划痕，然后在GaAs芯片P面用裂片机沿激光划痕将芯片裂开，形成激光划痕的深度为芯片厚度的1/10‑4/5，具体包括以下步骤：(1)将GaAs基LED芯片贴在一张膜上，使芯片的P面朝向这张膜，N面朝上，放置于激光划片机内的转盘上，调节芯片水平，确定芯片切割范围并确定切割道；(2)将激光器发出的连续激光经过一个修正光路后聚焦到GaAs基LED芯片上表面，开始切割，切割深度为芯片厚度的1/10‑4/5；所述修正光路包括五个全反镜和四个透视镜，五个全反镜依次设置在激光划片机的激光器和激光头之间，其中三个透视镜并排排列于第二和第三全反镜之间，另一个透视镜位于最后一个全反镜和激光头之间；(3)将激光划片后的GaAs基LED芯片翻转到另一张膜上，此时芯片N面朝该膜，P面朝上，用裂片机沿激光划痕将芯片裂开，芯片就被加工成了单独的芯片。