[发明专利]浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法，当建立多组实验条件时，建立的多组实验条件中的每一组都采用了优化前的工艺参数组A0，多组实验条件的区别仅在于：沉积厚度为d的氧化物后是否对控片进行冷却降温或沉积厚度为d的氧化物的过程中冷却降温的次数，最后根据预期的应力标准，选择一组实验条件作为优化后的工艺条件以进行沟槽填充。采用本发明公开的方法能够一方面避免沟槽中的填充物出现空洞，另一方面使得沟槽中的填充物满足预期的应力标准。

主权项

一种浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法，该方法包括：A、获取产品晶片的优化前工艺参数组A0，其中，所述优化前工艺参数组A0包括多个工艺参数；B、建立多组实验条件，其中，所述多组实验条件的共同实验条件为：采用高密度等离子体HDP化学气相沉积CVD工艺并按照优化前工艺参数组A0在控片表面沉积氧化物，所述多组实验条件的区别实验条件为：沉积氧化物后是否对控片进行冷却，或沉积氧化物的过程中冷却的次数；C、提供一控片，从多组实验条件中依次选择一组实验条件在所述控片上沉积氧化物，一组实验条件实施完毕后检测和记录所述氧化物对控片表面的应力，每检测和记录一次所述应力后再去除所述氧化物，然后再选择下一组实验条件在所述控片上沉积氧化物；D、建立所述多组实验条件与每次记录的所述氧化物对控片表面的应力之间的一一对应关系；E、根据预期的应力标准，按照所述对应关系选择所对应的一组实验条件作为优化后的工艺条件，按照优化后的工艺条件在产品晶片的沟槽中填充氧化物。