[发明专利]浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法，该方法包括：

A、获取产品晶片的优化前工艺参数组A0，其中，所述优化前工艺参数组A0包括多个工艺参数；

B、建立多组实验条件，其中，所述多组实验条件的共同实验条件为：采用高密度等离子体HDP化学气相沉积CVD工艺并按照优化前工艺参数组A0在控片表面沉积氧化物，所述多组实验条件的区别实验条件为：沉积氧化物后是否对控片进行冷却，或沉积氧化物的过程中冷却的次数；

C、提供一控片，从多组实验条件中依次选择一组实验条件在所述控片上沉积氧化物，一组实验条件实施完毕后检测和记录所述氧化物对控片表面的应力，每检测和记录一次所述应力后再去除所述氧化物，然后再选择下一组实验条件在所述控片上沉积氧化物；

D、建立所述多组实验条件与每次记录的所述氧化物对控片表面的应力之间的一一对应关系；

E、根据预期的应力标准，按照所述对应关系选择所对应的一组实验条件作为优化后的工艺条件，按照优化后的工艺条件在产品晶片的沟槽中填充氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述建立的多组实验条件包括：

第1组实验条件：在制程腔室内采用HDP CVD工艺并按照工艺参数组A0在控片表面沉积一层氧化物，所述氧化物的厚度为d；

第2组实验条件：在制程腔室内采用HDP CVD工艺并按照工艺参数组A0在控片表面沉积一层氧化物，所述氧化物的厚度为d，然后向制程腔室通入冷却气体对控片进行冷却；

第3组实验条件：在制程腔室内采用HDP CVD工艺并按照工艺参数组A0在控片表面每沉积一层厚度为d/n的氧化物后，向制程腔室通入冷却气体对控片进行冷却，重复执行上述步骤直至沉积后的氧化物的厚度为d时，向制程腔室通入冷却气体对控片进行冷却后结束，其中，n为预设的第一实验变量，且n为大于等于2的正整数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述建立的多组实验条件进一步包括：

第4组实验条件：在制程腔室内采用HDP CVD工艺并按照工艺参数组A0在控片表面每沉积一层厚度为d/m的氧化物后，将控片放置至制程腔室外自然冷却后再将控片放置至制程腔室内，重复执行上述步骤，直至沉积后的氧化物的厚度为d时，将控片放置至制程腔室外自然冷却后结束，其中，m为预设的第二实验变量，且m为大于等于2的正整数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述建立的多组实验条件进一步包括：

第5组实验条件：增大或减小n的值，将增大或减小后的n的值作为更新后的n的值，在制程腔室内采用HDP CVD工艺并按照工艺参数组A0在控片表面每沉积一层厚度为d/n的氧化物后，向制程腔室通入气体对控片进行冷却，重复执行上述步骤直至沉积后的氧化物的厚度为d时，向制程腔室通入气体对控片进行冷却后结束；

第6组实验条件：增大或减小m的值，将增大或减小后的m的值作为更新后的m的值，在制程腔室内采用HDP CVD工艺并按照工艺参数组A0在控片表面每沉积一层厚度为d/m的氧化物后，将控片放置至制程腔室外自然冷却后再将控片放置至制程腔室内，重复执行上述步骤，直至沉积后的氧化物的厚度为d时，将控片放置至制程腔室外自然冷却后结束。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第2组实验条件、第3组实验条件和第5组实验条件中通入的冷却气体为氩气Ar、氧气O₂或氦气He。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述通入的冷却气体的流量为10至10000标况毫升每分；

所述冷却的时间为10至500秒。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第4组实验条件和第6组实验条件中自然冷却的时间为10至500秒。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤E中所述选择一组实验条件作为优化后的工艺条件的方法包括：

如果所记录的应力中存在与预期的应力标准相等的应力，则根据所述一一对应关系，选择与预期的应力标准相等的应力所对应的实验条件作为优化后的工艺条件；

如果所记录的应力中不存在与预期的应力标准相等的应力，则根据所述一一对应关系，选择与预期的应力标准最接近的应力所对应的实验条件作为优化后的工艺条件。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化物为二氧化硅SiO₂。