[发明专利]热蒸发硅法生成碳化硅涂层的方法

摘要

发明公开了热蒸发硅法生成碳化硅涂层的方法。 本发明在聚丙肺腈碳纤维表面合成SiC涂层。将硅粉或硅块碎片放入石墨坩锅底部，碳纤维横置于坩锅顶部，为了尽可能增加碳纤维与硅蒸汽的接触并固定碳纤维，倒置同样大小的坩锅于搁置了碳纤维的坩锅上，硅碎片和碳纤维之间始终保持距离。把这个装置放入高温真空烧结炉中，机械泵预抽真空1~5Pa，然后充入氩气保护气，再次用机械泵及扩散泵抽至10-4~10-2Pa，然后再次充入氩气保护气，关闭氩气源。然后升温到硅的熔点之上，保温1~9小时，关掉电源，冷却后取出纤维，纤维表面生成了一层碳化硅涂层。本发明具有设备简单、无需氯硅烷或聚碳硅烷先驱气体和氢气等一系列优点。

主权项

热蒸发硅法生成碳化硅涂层的方法，其特征在于：将硅粉或硅块碎片放入石墨坩锅底部，聚丙烯腈碳纤维横置于坩锅端口，为了增加聚丙烯腈碳纤维与硅蒸汽的接触并固定聚丙烯腈碳纤维，倒置同样大小的坩锅于搁置了聚丙烯腈碳纤维的坩锅上，将硅粉或硅块碎片和聚丙烯腈碳纤维分离，把这个装置放入高温真空烧结炉中，机械泵预抽真空1~5Pa，然后充入氩气保护气，再次用机械泵及扩散泵抽至l0‑4～10‑2Pa，然后再次充入氩气保护气，关闭氩气源，然后升温到硅的熔点之上，保温1～9小时，关掉电源，冷却至室温后取出聚丙烯腈纤维，即在聚丙烯腈碳纤维表面生成了一层碳化硅涂层。