[发明专利]快速恢复二极管有效
| 申请号： | 201010551975.5 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102074586A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | J·沃贝基;K·赫曼;H·杜兰;M·拉希莫 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 提供快速恢复二极管(1)，其包括具有阴极侧(21)和在该阴极侧(21)相对侧的阳极侧(22)的n掺杂基极层(2)，在该阳极侧(22)上的p掺杂阳极层(5)。具有掺杂分布的该阳极层(5)包括至少两个子层(51、52、53)，其中第一子层(51)具有第一最大掺杂浓度(515)，其在2*1016cm-3和2*1017cm-3之间并且其高于任何其他子层(52、53)的最大掺杂浓度。末尾子层(52)具有末尾子层深度(520)，其大于任意其他子层深度(51、53)，其中该末尾子层深度(520)在90至120μm之间。该阳极层的掺杂分布下降使得在至少20μm的第一深度(54)和最大50μm的第二深度(55)之间达到在5*1014cm-3和1*1015cm-3范围中的掺杂浓度。这样的掺杂浓度的分布通过使用铝扩散层作为该至少两个子层(51、52、53)获得。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种快速恢复二极管(1)包括具有阴极侧(21)和在所述阴极侧(21)相对侧的阳极侧(22)的n掺杂基极层(2)，在所述阳极侧(22)上的p掺杂阳极层(5)，所述阳极层(5)具有掺杂分布并且包括至少两个子层(51、52、53)，其设置平行于所述阳极侧(22)，其中所述至少两个子层(51、52、53)包括第一子层(51)和末尾子层(52)，所述第一子层(51)具有第一最大掺杂浓度(515)，其在2*1016cm‑3和2*1017cm‑3之间并且所述第一最大掺杂浓度高于所述至少两个子层(51、52、53)中的任何其他子层(52、53)的最大掺杂浓度，具有末尾子层深度(520)的所述末尾子层(52)，所述末尾子层深度(520)大于任意其他子层深度(54、55)，其中所述末尾子层深度(520)在90至120μm之间，其中所述阳极层(5)的掺杂分布下降使得在至少20μm的第一深度(54)和最大50μm的第二深度(55)之间达到5*1014cm‑3和1*1015cm‑3范围中的掺杂浓度，并且其中所述至少两个子层(51、52、53)是铝扩散层。
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