[发明专利]一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法无效
| 申请号： | 201010550829.0 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102145602A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 程亮;刘鹏;姜言森;李玉花;徐振华;张春燕;任现坤;王兆光;杨青天 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | B41M1/12 | 分类号： | B41M1/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南市经十东路*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于晶硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法。该发明针对镭射掺杂选择性发射极晶体硅电池，提出的一种精准对位方法，其工序包括，减反射膜的制备，镭射掺杂及印刷对位基准点的制备，精准对位印刷。此方法，大大提高了镭射掺杂区域与正银栅线印刷的匹配度，解决了晶体硅选择性发射极电池制作中印刷对位难的问题，改善了晶体硅太阳能电池的电性能，并且此方法易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 选择性 发射极 电池 印刷 对位 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法，其特征在于，镀减反射膜后的硅片进行镭射掺杂时，同时在主栅区域镭射4个凹点，印刷对位时，作为基准点调节印刷机台进行印刷。
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