[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备有效
| 申请号： | 201010548172.4 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102063027A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 小泽智仁;秋山和敬;西村悠;田泽大介 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/147 | 分类号： | G03G5/147;G03G5/14;G03G15/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供：电子照相感光构件和具有该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件具有光导电层、中间层和表面层，其中当所述表面层中的Si+C原子密度由DS×1022原子/cm3表示时，该DS为6.60以上，和当在所述光导电层中沿层厚度方向氢量分布中H/(Si+H)的最大值由HPmax表示，第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值由HP2表示时，DS和HP2满足下列表达式(1)以及DS和HPmax满足下列表达式(2)：HP2≥0.07×DS-0.38...表达式(1)HPmax≤-0.04×DS+0.60...表达式(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 照相 感光 构件 设备 | ||
【主权项】：
一种电子照相感光构件，其包含基体、在所述基体上由氢化非晶硅形成的光导电层、在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的中间层和在所述中间层上由氢化非晶碳化硅形成的表面层，其中当在所述表面层中的碳原子数(C)相对于在所述表面层中的硅原子数(Si)和碳原子数(C)的总和之比(C/(Si+C))由CS表示时，所述CS为0.61以上至0.75以下，当在所述表面层中的氢原子数(H)相对于在所述表面层中的硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+C+H))由HS表示时，所述HS为0.20以上至0.45以下，和所述表面层的层厚度为0.2μm以上至3.0μm以下；当在所述中间层中的碳原子数(C)相对于在所述中间层中的硅原子数(Si)和碳原子数(C)的总和之比(C/(Si+C))由CM表示时，所述CM为0.25以上至0.9×CS以下，当在所述中间层中的氢原子数(H)相对于在所述中间层中的硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+C+H))由HM表示时，所述HM为0.20以上至0.45以下，和所述中间层的层厚度为0.1μm以上至1.0μm以下；当在所述表面层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和由DS×1022原子/cm3表示时，所述DS为6.60以上，当在所述中间层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和由DM×1022原子/cm3表示时，所述DM小于6.60，和当在所述光导电层中的硅原子的原子密度由DP×1022原子/cm3表示时，所述DP为4.20以上至4.80以下；和当在所述光导电层中沿层厚度方向的氢量分布中氢原子数(H)相对于在所述分布中硅原子数(Si)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+H))的最大值由HPmax表示时，所述DS和所述HPmax满足 下列表达式(2)，和当从所述光导电层沿层厚度方向的中间位置的中间层侧中的氢原子数(H)相对于在所述中间层侧的硅原子数(Si)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+H))由HP2表示时，所述DS和所述HP2满足下列表达式(1)：HP2≥0.07×DS‑0.38...表达式(1)HPmax≤‑0.04×DS+0.60...表达式(2)。
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其中，F表示电荷输送骨架；L表示二价连接基团；并且m表示1～8的整数，
其中，F表示电荷输送骨架；L’表示(n+1)价连接基团；m’表示1～6的整数；并且n表示2～3的整数。
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- 佐佐木知也;额田克己;山田涉;广濑英一;梶原贤志;岩馆侑子 - 富士施乐株式会社
- 2013-06-06 - 2014-03-26 - G03G5/147
- 本发明涉及电荷输送性膜、光电转换装置、电子照相感光体、处理盒和图像形成设备。所述电荷输送性膜包括：包含至少一种选自由下式(I)表示的反应性化合物的组合物的固化膜：其中，F表示电荷输送性骨架，D表示由式(IIa)表示的基团，m表示1～8的整数，E表示由式(IIb)表示的基团，L表示(n+1)价的连接基团，所述连接基团包括选自由亚烷基、亚烯基、-C(=O)-、-N(R)-、-S-、-O-和源自烷烃或烯烃的三价或四价基团组成的组的两个以上，R表示氢原子、烷基、芳基或芳烷基，n表示1～3的整数，R0表示卤素原子、烷基或烷氧基，n0表示0～3的整数。
- 电子照相感光构件、中间转印构件、处理盒和电子照相设备-201280030861.3
- 吉村公博;宫内阳平;山岸惠子;白山和久;堀真帆 - 佳能株式会社
- 2012-05-30 - 2014-03-05 - G03G5/147
- 提供了一种表面上各自具有良好润滑性和良好清洁性的电子照相感光构件和中间转印构件，各自包括电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，和包括中间转印构件的电子照相设备。因此，本发明的电子照相感光构件或中间转印构件的表面层包含基体成分和不与基体成分粘结并可转动地保持在基体成分的孔中的可转动保持的球状颗粒。
- 电子照相感光构件的表面加工方法和电子照相感光构件的生产方法-201310133333.7
- 西田孟;川井康裕;高桥孝治 - 佳能株式会社
- 2013-04-17 - 2013-10-30 - G03G5/147
- 本发明涉及电子照相感光构件的表面加工方法和电子照相感光构件的生产方法。在垂直于电子照相感光构件旋转轴的截面中，当作为截面与接触面(电子照相感光构件和成型构件接触的面)的交线的弧由弧AB表示，电子照相感光构件的截面的圆的中心由中心O表示以及在成型构件加压接触方向的直线中通过中心O的直线与弧AB的交点由交点C表示时，以使∠AOC和∠BOC分别满足下式(1)和(2)的方式将成型构件表面上的凹凸结构转印到电子照相感光构件的表面：0.5°≤∠AOC≤45°(1)，和0.5°≤∠BOC≤45°(2)。
- 电子照相光电导体和利用电子照相光电导体的图像形成方法、图像形成设备和处理盒-201280006101.9
- 田中裕二;永井一清;铃木哲郎;小饭冢佑介 - 株式会社理光
- 2012-01-12 - 2013-09-25 - G03G5/147
- 电子照相光电导体，包括：导电衬底；和导电衬底上至少光电导层，其中光电导层的最上面的表层包括通过化合物之间的聚合形成的三维交联膜，每一化合物含有电荷输送化合物和三个或更多个[(四氢-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基团，其中电荷输送化合物具有一个或多个芳环并且[(四氢-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基团连接电荷输送化合物的芳环，其中聚合在一些[(四氢-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基团已部分地分裂和消除之后开始，并且其中三维交联膜具有5.4或更高的电离电位。
- 专利分类
