[发明专利]射频LDMOS器件中源衬接触柱的实现方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件中源衬接触柱的实现方法，其为在衬底上生长外延层之后，包括如下步骤：1)在外延层上生长氧化硅层；2)在氧化硅层上利用光刻工艺定义出深槽的位置，并刻蚀去除深槽区的氧化硅；3)刻蚀外延层形成深槽；4)第一次多晶硅淀积，在深槽的内壁形成一层多晶硅；5)采用离子注入工艺在深槽内壁的多晶硅内注入杂质离子；6)第二次多晶硅淀积，填满深槽；7)去除外延层上的多晶硅，并去除氧化硅层；8)退火处理使杂质离子均匀分布在多晶硅内，并活化杂质离子，形成源衬接触柱。采用本发明的方法，能充分降低多晶硅的电阻率，实现由多晶硅构成的低阻通路。

主权项

一种射频LDMOS器件中源衬接触柱的实现方法，其特征在于，在衬底上生长外延层之后，包括如下步骤：1)在所述外延层上生长氧化硅层；2)在氧化硅层上利用光刻工艺定义出深槽的位置，并刻蚀去除深槽区的氧化硅；3)刻蚀所述外延层形成深槽；4)第一次多晶硅淀积，在所述深槽的内壁形成一层多晶硅；5)采用离子注入工艺在所述深槽内壁的多晶硅内注入杂质离子；6)第二次多晶硅淀积，填满所述深槽；7)去除所述外延层上的多晶硅，并去除氧化硅层；8)退火处理使所述杂质离子均匀分布在多晶硅内，并活化所述杂质离子，形成源衬接触柱。