[发明专利]一种固态超级电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201010545516.6 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101996775A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;朱宝 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/15 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电容器制备技术领域，具体公开了一种固态超级电容的制备方法。本发明通过金属辅助刻蚀工艺在重掺杂的单晶硅片上形成密度高和有序的深槽结构，然后以此深槽结构作为模板来制备固体超级电容。具体步骤包括：在硅片上热氧化形成一层很薄的二氧化硅；在二氧化硅上淀积金属薄膜；对金属薄膜进行快速热退火以形成金属纳米晶阵列；以金属纳米晶为催化剂，对硅片进行刻蚀，形成深槽阵列；在深槽的表面淀积绝缘介质层；再淀积种子金属层；电镀金属作为正电极。本发明免去了高成本的光刻工艺，因此工艺简单，成本低廉，不易损坏，易于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固态 超级 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种固态超级电容器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在重掺杂的单晶硅片上热氧化形成一层二氧化硅薄膜；（2）在二氧化硅薄膜上淀积一层具有催化作用的金属层；（3）对金属层进行快速热退火处理，形成金属纳米晶阵列；（4）以金属纳米晶作为催化剂，使用氢氟酸和双氧水的混合溶液对硅片进行刻蚀，在硅片上形成深槽阵列；（5）在深槽的表面淀积一绝缘介质层；（6）在绝缘介质层的表面淀积一层种子金属层；（7）在种子金属层的表面电镀一层金属作为电容的正电极。
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