[发明专利]一种固态超级电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201010545516.6 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101996775A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;朱宝 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/15 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 固态 超级 电容器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种固态超级电容器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
（1）在重掺杂的单晶硅片上热氧化形成一层二氧化硅薄膜；
（2）在二氧化硅薄膜上淀积一层具有催化作用的金属层；
（3）对金属层进行快速热退火处理，形成金属纳米晶阵列；
（4）以金属纳米晶作为催化剂，使用氢氟酸和双氧水的混合溶液对硅片进行刻蚀，在硅片上形成深槽阵列；
（5）在深槽的表面淀积一绝缘介质层；
（6）在绝缘介质层的表面淀积一层种子金属层；
（7）在种子金属层的表面电镀一层金属作为电容的正电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述金属纳米晶是金、银、铂或钯。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述绝缘介质采用Al2O3、HfO2、Ta2O5或ZrO2。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述种子金属层采用TiN、TaN或W。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述金属纳米晶的直径是30～50纳米。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述绝缘介质层厚度是10～20纳米。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述种子金属层厚度是5～10纳米。
8.根据权利要求1、2、6或7所述的制备方法，其特征在于所述快速热退火处理，热退火温度为700～800℃，热退火时间为10－30秒。
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