[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201010543458.3 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102468172A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中;叶彬;马桂英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有浅沟槽隔离结构；执行前非晶化离子注入工艺；执行氧离子处理工艺；湿法清洗所述半导体衬底；在所述栅极、源极和漏极表面形成自对准硅化物。该氧离子处理工艺可修复由前非晶化离子注入工艺导致的浅沟槽隔离结构的损伤，使得在进行湿法清洗步骤时，该浅沟槽隔离结构的边缘不会被损失掉，能够避免漏电流的增加，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有浅沟槽隔离结构；执行前非晶化离子注入工艺；执行氧离子处理工艺；湿法清洗所述半导体衬底；在所述栅极、源极和漏极表面形成自对准硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010543458.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备钒电池用电解液的方法
- 下一篇：微粉煤燃烧锅炉
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
