[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010541631.6 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102064109A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林武雄;孙铭伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成氧化物半导体层；于氧化物半导体层的部分区域上形成半透光层；以此半透光层为掩模，进行光学退火工艺以使氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中氧化物沟道层位于半透光层下方，而欧姆接触层位于氧化物沟道层两侧并与氧化物沟道层连接；以及于栅绝缘层与欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极。本发明的薄膜晶体管具有稳定的电气特性，且本发明的工艺较为简单，有利于薄膜晶体管的量产。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上形成一栅极；于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；于该栅绝缘层上形成一氧化物半导体层；于该氧化物半导体层的部分区域上形成一半透光层；以该半透光层为掩模，进行一光学退火工艺以使该氧化物半导体层转化为一氧化物沟道层以及两个欧姆接触层，其中该氧化物沟道层位于该半透光层下方，而所述两个欧姆接触层位于该氧化物沟道层两侧并与该氧化物沟道层连接；以及于该栅绝缘层与所述两个欧姆接触层上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010541631.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种变速器的多级同步模块和变速器
- 下一篇：气冷式氦气压缩机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
