[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 201010539600.7 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102468374A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张超雄;张洁玲 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管制造方法，包括步骤：提供上下表面分别形成第一金属层及第二金属层的基板，第一金属层及第二金属层均通过沟槽分割为多个独立的区域，基板开设贯穿第一金属层及第二金属层的多个通孔，并在各通孔内壁面形成连接第一金属层及第二金属层的金属连接层；在各通孔内填充绝缘材料；在各绝缘材料表面形成金属强化层；提供多个发光芯片，将各发光芯片电连接至相邻的第一金属层；在金属强化层上形成覆盖发光芯片的连续的封装体；沿通孔切割基板而形成多个独立的发光二极管。此制造方法可提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制造方法，包括步骤：提供上下表面分别形成第一金属层及第二金属层的基板，第一金属层及第二金属层均通过沟槽分割为多个独立的区域，基板开设贯穿第一金属层及第二金属层的多个通孔，并在各通孔内壁面形成连接第一金属层及第二金属层的金属连接层；在各通孔内分别填充绝缘材料；在各绝缘材料表面形成金属强化层；提供多个发光芯片，将各发光芯片电连接至相邻的二第一金属层；在金属强化层上形成覆盖发光芯片的连续的封装体；沿通孔切割基板而形成多个独立的发光二极管。
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