[发明专利]一种拓扑绝缘体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010537041.6 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102063950A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;黄斌;陈晨 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01B3/02 | 分类号： | H01B3/02;H01B19/00;C25D9/04;C25D5/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种拓扑绝缘体材及其制备方法，属于新材料的制备领域。该扑绝缘体材料为碲化锑/碲分节纳米线阵列或碲纳米圆盘阵列。本发明采用模板辅助的方法，在模板上直接得到规整的碲化锑/碲分节纳米线阵列或碲纳米圆盘阵列，制得的纳米材料为调控材料的拓扑绝缘性能。较之于传统硒化铋材料的制备，本发明具有工艺简单、成本低廉和一次性成型等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拓扑 绝缘体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种拓扑绝缘体材料，其特征在于，该拓扑绝缘体材料为碲化锑和碲分节的纳米线及其阵列，或为碲纳米圆盘及阵列，所述碲化锑和碲分节纳米线为不同直径的碲化锑圆盘和锑圆盘交替形成的分节状。
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